si基ge衬底的市场调查

① 几种Si、Ge纳米线导热系数的原子模拟

摘要：采用非平衡分子动力学方法模拟了Si纳米线、Ge纳米线专、核-壳结构的Si/Ge纳米线及超属晶格结构的Si/Ge纳米线的导热系数,给出了纳米线的温度与导热系数关系曲线,对比了几种纳米线导热特性的差异,研究结果表明,随着温度的升高,各纳米线的导热系数降低;相同温度下,纳米线导热系数的大小顺序为：核-壳结构的Si/Ge纳米线、超晶格结构的Si/Ge纳米线、Si纳米线、Ge纳米线。

② 下列元素都能做半导体材料的是A,si k B,c Al C,si Ge D,As S e 要思路

半导体材料主来要就是指4族元素
也就是自C碳
Si硅
Ge锗
Sn锡
Pb铅
然后你自己对照每个选项
就发现只有c是符合的
根据这个题你要记下半导体材料也就是4族材料的所有元素符号
可以的话把汉字也背下来
不要看二楼的答案
是应用领域
等将来学到大学了才会接触到
希望对你有点帮助还

③ 【物质结构与性质】C、Si、Ge、Sn是同族元素，该族元素单质及其化合物在材料、医药等方面有重要应用．请

（1）Ge是32号元素，其原子核外有32 个电子，根据构造原理知其基态原子核外电子排布式为版1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²，
故答案为：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²；
（2）金属元权素能形成金属晶体，所以能形成金属晶体的是Sn，故答案为：Sn；
（3）①二氧化碳分子中碳原子价层电子对个数是2，且不含孤电子对，所以其空间构型是直线形，碳原子和氧原子之间存在共价键，故答案为：直线形；共价键；
②二氧化硅是原子晶体，Si-O通过共价键形成四面体结构，四面体之间通过共价键形成空间网状结构，硅原子和氧原子之间存在共价键，
故答案为：Si-O通过共价键形成四面体结构，四面体之间通过共价键形成空间网状结构；共价键；
③离子晶体在熔融状态下能电离呈自由移动的阴阳离子而导电，且离子晶体一般有较高的熔点，
故答案为：熔融时能导电、较高的熔点．

④ 磁控溅射中,为什么一般都采用Si为衬底

研究领域不同，也有用金属做衬底的，比如用磁控溅射法往金属零件上镀TiN

⑤ 杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用

1)
本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。绝对零度时价带专被价电子属填满，导带是空的。
2)
随着温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加，在本征时器件不能稳定工作。而对于掺杂半导体，室温附近载流子主要来源于杂质电离，在杂质全部电离的情况下，载流子浓度一定，器件就能稳定工作。所以，制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料，而且每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就会失效。
3)
杂质在元素半导体
Si和Ge中的作用:是半导体Si\Ge的导电性能发生显著的改变。
希望能够帮到你，满意请采纳，谢谢o(∩_∩)o
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⑥ 常态下，Si,Ge,GaAs,ZnO中的电子的德布罗意波长分别为

naive的说，电子的德布罗意波长应该是跟电子的动量相关的，也就是说可以根据能级差大概估计回出来。
而且用量子答力学最简单的无穷神势阱来思考的话，不管势阱有多宽都会有量子效应，只不过太宽
的势阱会产生很小的能级差，应该就是题中量子效应不显著的意思。
同时，势阱越宽，低能级的电子的德布罗意波也越长，但是如果温度带来的扰动可以很容易的让电子到了很高很高的能级，这时候波动性就不明显了，电子的德布罗意波也就远小于势阱宽度了。
也就是说这里面的电子的德布罗意波应该按照体系的温度来计算，温度越低，扰动越少，电子的波长就越长，就算是很密集的能级依然可以观察到量子效应。

⑦ 硅衬底上外延GaN外延片哪里有卖的

晶能光电

晶能光电拥有的硅基LED技术，具有完整的自主知识产权，目前已申请或获得国专际国内各种专属利200余项，在蓝宝石衬底、碳化硅衬底之外，形成了第三条半导体照明技术路线。相比蓝宝石衬底、碳化硅衬底技术，硅衬底LED技术具有材料及生产成本低、器件散热性好、结构简单等综合优势。正由于这些综合优势，硅基LED技术一直是LED行业梦寐以求的一项技术，几十年来上百家企业和科研机构都倾注了大量的资金和精力研发硅衬底LED技术，但由于技术难度极大，尽管部分研究机构取得了不小的进步，但至今唯有晶能光电一家可以实现大规模量产。进而言之，晶能光电硅基大功率LED芯片产品的发布，甚至可以说是中国乃至全球LED行业的一大喜事。

⑧ Si 和Ge 是常用的——元素

半导体
这题居然没人答?

⑨ 薄膜晶体管的历史及现状

人类对 TFT 的研究工作已经有很长的历史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出结型场效应晶体管 (FET) 的基本定律,开辟了对固态放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又将绝缘栅结构引进场效应晶体管(后来被称为 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT;随后,又涌现了用 CdSe,InSb,Ge 等半导体材料做成的 TFT 器件.二十世纪六十年代,基于低费用,大阵列显示的实际需求,TFT 的研究广为兴起.1973 年,Brody 等人 136 光 子 技 术 2006 年 9 月 首次研制出有源矩阵液晶显示(AMLCD) ,并用 CdSe TFT 作为开关单元.随着多晶硅掺杂工艺的发展,1979 年 后来许多实验室都进行了将 AMLCD LeComber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源层,做成如图 1 所示的 TFT 器件. 以玻璃为衬底的研究.二十世纪八十年代,硅基 TFT 在 AMLCD 中有着极重要的地位,所做成的产品占据了市场绝 大部分份额.1986 年 Tsumura 等人首次用聚噻吩为半导体材料制备了有机薄膜晶体管(OTFT) ,OTFT 技术从此开 始得到发展.九十年代,以有机半导体材料作为活性层成为新的研究热点.由于在制造工艺和成本上的优势,OTFT 被认为将来极可能应用在 LCD,OLED 的驱动中.近年来,OTFT 的研究取得了突破性的进展.1996 年,飞利浦公 司采用多层薄膜叠合法制作了一块 15 微克变成码发生器(PCG) ;即使当薄膜严重扭曲,仍能正常工作.1998 年, 的无定型金属氧化物锆酸钡作为并五苯有机薄膜晶体管的栅绝 IBM公司用一种新型的具有更高的介电常数 缘层,使该器件的驱动电压降低了 4V,迁移率达到 0.38cm2V-1 s-1.1999 年,Bell实验室的 Katz 和他的研究小组制 得了在室温下空气中能稳定存在的噻吩薄膜,并使器件的迁移率达到 0.1 cm2V-1 s-1.Bell 实验室用并五苯单晶制得 这向有机集成 了一种双极型有机薄膜晶体管, 该器件对电子和空穴的迁移率分别达到 2.7 cm2V-1 s-1 和 1.7 cm2V-1 s-1, 电路的实际应用迈出了重要的一步.最近几年,随着透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半导体材料作为活性 层制作薄膜晶体管,因性能改进显着也吸引了越来越多的兴趣.器件制备工艺很广泛,比如:MBE,CVD,PLD 等, 均有研究.ZnO-TFT 技术也取得了突破性进展.2003 年,Nomura等人使用单晶 InGaO3 (ZnO)5 获得了迁移率为 80 cm2V-1 s-1 的 TFT 器件.美国杜邦公司采用真空蒸镀和掩膜挡板技术在聚酰亚铵柔性衬底上开发了 ZnO-TFT,电 这是在聚酰亚铵柔性衬底上首次研制成功了高迁移率的 ZnO-TFT, 这预示着在氧化物 TFT 子迁移率为 50 cm2V-1 s-1. 2006 年, Cheng 领域新竞争的开始. 2005 年, Chiang H Q 等人利用 ZIO 作为活性层制得开关比为 107 薄膜晶体管. H C等人利用 CBD 方法制得开关比为 105 ,迁移率为 0.248cm2V-1s-1 的 TFT,这也显示出实际应用的可能.

⑩ si wafer硅衬底浓度一般是多少

多晶来硅薄膜太阳能电池 通常的晶体硅太源阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜