si基ge襯底的市場調查

① 幾種Si、Ge納米線導熱系數的原子模擬

摘要：採用非平衡分子動力學方法模擬了Si納米線、Ge納米線專、核-殼結構的Si/Ge納米線及超屬晶格結構的Si/Ge納米線的導熱系數,給出了納米線的溫度與導熱系數關系曲線,對比了幾種納米線導熱特性的差異,研究結果表明,隨著溫度的升高,各納米線的導熱系數降低;相同溫度下,納米線導熱系數的大小順序為：核-殼結構的Si/Ge納米線、超晶格結構的Si/Ge納米線、Si納米線、Ge納米線。

② 下列元素都能做半導體材料的是A,si k B,c Al C,si Ge D,As S e 要思路

半導體材料主來要就是指4族元素
也就是自C碳
Si硅
Ge鍺
Sn錫
Pb鉛
然後你自己對照每個選項
就發現只有c是符合的
根據這個題你要記下半導體材料也就是4族材料的所有元素符號
可以的話把漢字也背下來
不要看二樓的答案
是應用領域
等將來學到大學了才會接觸到
希望對你有點幫助還

③ 【物質結構與性質】C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質及其化合物在材料、醫葯等方面有重要應用．請

（1）Ge是32號元素，其原子核外有32 個電子，根據構造原理知其基態原子核外電子排布式為版1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²；
（2）金屬元權素能形成金屬晶體，所以能形成金屬晶體的是Sn，故答案為：Sn；
（3）①二氧化碳分子中碳原子價層電子對個數是2，且不含孤電子對，所以其空間構型是直線形，碳原子和氧原子之間存在共價鍵，故答案為：直線形；共價鍵；
②二氧化硅是原子晶體，Si-O通過共價鍵形成四面體結構，四面體之間通過共價鍵形成空間網狀結構，硅原子和氧原子之間存在共價鍵，
故答案為：Si-O通過共價鍵形成四面體結構，四面體之間通過共價鍵形成空間網狀結構；共價鍵；
③離子晶體在熔融狀態下能電離呈自由移動的陰陽離子而導電，且離子晶體一般有較高的熔點，
故答案為：熔融時能導電、較高的熔點．

④ 磁控濺射中,為什麼一般都採用Si為襯底

研究領域不同，也有用金屬做襯底的，比如用磁控濺射法往金屬零件上鍍TiN

⑤ 雜質在元素半導體 Si和Ge中的作用

1)
本徵半導體是一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體。絕對零度時價帶專被價電子屬填滿，導帶是空的。
2)
隨著溫度的升高，本徵載流子濃度迅速地增加，在本徵時器件不能穩定工作。而對於摻雜半導體，室溫附近載流子主要來源於雜質電離，在雜質全部電離的情況下，載流子濃度一定，器件就能穩定工作。所以，製造半導體器件一般都會用含有何當雜志的半導體材料，而且每一種半導體材料製成的器件都有一定的極限工作溫度，超過這一溫度後，器件就會失效。
3)
雜質在元素半導體
Si和Ge中的作用:是半導體Si\Ge的導電性能發生顯著的改變。
希望能夠幫到你，滿意請採納，謝謝o(∩_∩)o
還有疑問可以網路hi我!

⑥ 常態下，Si,Ge,GaAs,ZnO中的電子的德布羅意波長分別為

naive的說，電子的德布羅意波長應該是跟電子的動量相關的，也就是說可以根據能級差大概估計回出來。
而且用量子答力學最簡單的無窮神勢阱來思考的話，不管勢阱有多寬都會有量子效應，只不過太寬
的勢阱會產生很小的能級差，應該就是題中量子效應不顯著的意思。
同時，勢阱越寬，低能級的電子的德布羅意波也越長，但是如果溫度帶來的擾動可以很容易的讓電子到了很高很高的能級，這時候波動性就不明顯了，電子的德布羅意波也就遠小於勢阱寬度了。
也就是說這裡面的電子的德布羅意波應該按照體系的溫度來計算，溫度越低，擾動越少，電子的波長就越長，就算是很密集的能級依然可以觀察到量子效應。

⑦ 硅襯底上外延GaN外延片哪裡有賣的

晶能光電

晶能光電擁有的硅基LED技術，具有完整的自主知識產權，目前已申請或獲得國專際國內各種專屬利200餘項，在藍寶石襯底、碳化硅襯底之外，形成了第三條半導體照明技術路線。相比藍寶石襯底、碳化硅襯底技術，硅襯底LED技術具有材料及生產成本低、器件散熱性好、結構簡單等綜合優勢。正由於這些綜合優勢，硅基LED技術一直是LED行業夢寐以求的一項技術，幾十年來上百家企業和科研機構都傾注了大量的資金和精力研發硅襯底LED技術，但由於技術難度極大，盡管部分研究機構取得了不小的進步，但至今唯有晶能光電一家可以實現大規模量產。進而言之，晶能光電硅基大功率LED晶元產品的發布，甚至可以說是中國乃至全球LED行業的一大喜事。

⑧ Si 和Ge 是常用的——元素

半導體
這題居然沒人答?

⑨ 薄膜晶體管的歷史及現狀

人類對 TFT 的研究工作已經有很長的歷史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出結型場效應晶體管 (FET) 的基本定律,開辟了對固態放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又將絕緣柵結構引進場效應晶體管(後來被稱為 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT;隨後,又涌現了用 CdSe,InSb,Ge 等半導體材料做成的 TFT 器件.二十世紀六十年代,基於低費用,大陣列顯示的實際需求,TFT 的研究廣為興起.1973 年,Brody 等人 136 光 子 技 術 2006 年 9 月 首次研製出有源矩陣液晶顯示(AMLCD) ,並用 CdSe TFT 作為開關單元.隨著多晶硅摻雜工藝的發展,1979 年 後來許多實驗室都進行了將 AMLCD LeComber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源層,做成如圖 1 所示的 TFT 器件. 以玻璃為襯底的研究.二十世紀八十年代,硅基 TFT 在 AMLCD 中有著極重要的地位,所做成的產品占據了市場絕 大部分份額.1986 年 Tsumura 等人首次用聚噻吩為半導體材料制備了有機薄膜晶體管(OTFT) ,OTFT 技術從此開 始得到發展.九十年代,以有機半導體材料作為活性層成為新的研究熱點.由於在製造工藝和成本上的優勢,OTFT 被認為將來極可能應用在 LCD,OLED 的驅動中.近年來,OTFT 的研究取得了突破性的進展.1996 年,飛利浦公 司採用多層薄膜疊合法製作了一塊 15 微克變成碼發生器(PCG) ;即使當薄膜嚴重扭曲,仍能正常工作.1998 年, 的無定型金屬氧化物鋯酸鋇作為並五苯有機薄膜晶體管的柵絕 IBM公司用一種新型的具有更高的介電常數 緣層,使該器件的驅動電壓降低了 4V,遷移率達到 0.38cm2V-1 s-1.1999 年,Bell實驗室的 Katz 和他的研究小組制 得了在室溫下空氣中能穩定存在的噻吩薄膜,並使器件的遷移率達到 0.1 cm2V-1 s-1.Bell 實驗室用並五苯單晶製得 這向有機集成 了一種雙極型有機薄膜晶體管, 該器件對電子和空穴的遷移率分別達到 2.7 cm2V-1 s-1 和 1.7 cm2V-1 s-1, 電路的實際應用邁出了重要的一步.最近幾年,隨著透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半導體材料作為活性 層製作薄膜晶體管,因性能改進顯著也吸引了越來越多的興趣.器件制備工藝很廣泛,比如:MBE,CVD,PLD 等, 均有研究.ZnO-TFT 技術也取得了突破性進展.2003 年,Nomura等人使用單晶 InGaO3 (ZnO)5 獲得了遷移率為 80 cm2V-1 s-1 的 TFT 器件.美國杜邦公司採用真空蒸鍍和掩膜擋板技術在聚醯亞銨柔性襯底上開發了 ZnO-TFT,電 這是在聚醯亞銨柔性襯底上首次研製成功了高遷移率的 ZnO-TFT, 這預示著在氧化物 TFT 子遷移率為 50 cm2V-1 s-1. 2006 年, Cheng 領域新競爭的開始. 2005 年, Chiang H Q 等人利用 ZIO 作為活性層製得開關比為 107 薄膜晶體管. H C等人利用 CBD 方法製得開關比為 105 ,遷移率為 0.248cm2V-1s-1 的 TFT,這也顯示出實際應用的可能.

⑩ si wafer硅襯底濃度一般是多少

多晶來硅薄膜太陽能電池 通常的晶體硅太源陽能電池是在厚度350～450μm的高質量矽片上製成的，這種矽片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更多。為了節省材料，人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜