fbga培训哪个机构号

『壹』 内存条上的“颗粒封装”是什么FBGA是什么意思

哎呀~~~~摘抄的 自己看吧！ 哈

内存颗粒的封装方式经历了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的变革，可谓风风雨雨一路发展而来.前面老的封装方式，就不说了，都成了历史。

就简单介绍一下CSP吧，CSP是我们的明日之星，大家都知道，封装面积与芯片的面积比越接近1：1越完美，那么CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍
内存编码含义
Samsung

具体含义解释：

例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Hynix(Hyundai)现代

现代内存的含义：

HY5DV641622AT-36

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A

Infineon（亿恒）

Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

KINGMAX、kti

KINGMAX内存的说明

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

Winbond（华邦）

含义说明：

W XX XX XX XX

1 2 3 4 5

1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

『贰』 怎么知道自己笔记本内存条的颗粒封装（FBGA、mBGA）和接口类型（200PIN、240PIN）呀

这个封装类型没有影响，你只要找DDR3代1333的内存就可以了。因为DDR3是接口类型，1333是频率，如果你想和原来的三星条一起用的话注意内存兼容性，最好找一个牌子的。

『叁』 内存封装模式CSP和FBGA有什么区别哪个好

FBGA脱胎于BGA，这个技术有好些年了，fbga 是塑料封装的bga bga=球栅阵列封装技术。该技术的出现便成为CPU、主板南、北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。但BGA封装占用基板的面积比较大。虽然该技术的I/O引脚数增多，但引脚之间的距离远大于QFP，从而提高了组装成品率。而且该技术采用了可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能。另外该技术的组装可用共面焊接，从而能大大提高封装的可靠性；并且由该技术实现的封装CPU信号传输延迟小，适应频率可以提高很大。

BGA封装具有以下特点：

I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率
虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能
信号传输延迟小，适应频率大大提高
组装可用共面焊接，可靠性大大提高

CSP(Chip Scale Package)，是芯片级封装的意思。CSP封装是比较新的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。
CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%-20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻

『肆』 请帮忙查一下iphone4激活时间：型号mc603zp，序列号为88116fbga4s.谢谢！！

https://selfsolve.apple.com/GetWarranty.do

上这里查

『伍』 什么是LQFP封装、FBGA封装

我这里有些关于芯片封装技术的电子书， 有需要的话留个邮箱我传给你。 LQFP也就是薄型QFP（Low rofile Quad Flat Package）指封装本体厚度为1.4mm的QFP， 是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。 下面介绍下QFP封装： 这种技术的中文含义叫方型扁平式封装技术（Plastic Quad Flat Pockage），该技术实现的CPU芯片引脚之间距离很小， 管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式， 其引脚数一般都在100以上。该技术封装CPU时操作方便， 可靠性高；而且其封装外形尺寸较小，寄生参数减小， 适合高频应用； 该技术主要适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线。 ****************************** ****************************** ****** FBGA 是塑料封装的 BGA 下面介绍下BGA封装： 20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/ O引脚数急剧增加，功耗也随之增大， 对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要， BGA封装开始被应用于生产。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。 采用BGA技术封装的内存， 可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍， BGA与TSOP相比，具有更小的体积， 更好的散热性能和电性能。 BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升， 采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下， 体积只有TSOP封装的三分之一；另外， 与传统TSOP封装方式相比， BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。 BGA封装内存 BGA封装的I/ O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面， BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了， 但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率； 虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接， 从而可以改善它的电热性能； 厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小， 信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接， 可靠性高。 说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBG A技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装）， 属于是BGA封装技术的一个分支。 是Kingmax公司于1998年8月开发成功的， 其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14， 可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍， 与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、 更好的散热性能和电性能。 TinyBGA封装内存 采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有 TSOP封装的1/3。 TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的， 而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。 这种方式有效地缩短了信号的传导距离， 信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4， 因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、 抗噪性能，而且提高了电性能。 采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频， 而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。 TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0. 8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。 因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率， 非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。

『陆』 FBGA、TSOP与BGA三者有何区别

FBGA（通常称作CSP)是一种在底部有焊球的面阵引脚结构，使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸。这种高密度、小巧、扁薄的封装技术非常适宜用于设计小巧的手持式消费类电子装置，如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机。

BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。

TinyBGA封装的芯片与普通TSOP封装的芯片相比，有以下几个特点：
一、单位容量内的存储空间大大增加，相同大小的两片内存颗粒，TinyBGA封装方式的容量能比TSOP高一倍，成本也不会有明显上升，而且当内存颗粒的制程小于0.25微米时，TinyBGA封装的成本比TSOP还要低。
二、具有较高的电气性能。TinyBGA封装的芯片通过底部的锡球与PCB板相连，有效地缩短了信号的传输距离，信号传输线的长度仅是传统TSOP技术的四分之一，信号的衰减也随之下降，能够大幅度提升芯片的抗干扰性能。
三、具有更好的散热能力。TinyBGA封装的内存，不但体积比相同容量的TSOP封装芯片小，同时也更薄（封装高度小于0.8毫米），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36毫米。相比之下，TinyBGA方式封装的内存拥有更高的热传导效率，TinyBGA封装的热抗阻比TSOP低75％[ 1 ]。

一般来说，FBGA封装方式会比TSOP来的好， TSOP封装的针脚在外，而FBGA针脚在内，比较不容易受到外在环境的干扰；此外，FBGA封装的颗粒也比较小，在512MB或1G以上的记忆体模组大都采用FBGA封装。

采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。

『柒』 什么是LQFP封装、FBGA封装

我这里有些关于芯片封装技术的电子书，
有需要的话留个邮箱我传给你。
LQFP也就是薄型QFP（Low
rofile
Quad
Flat
Package）指封装本体厚度为1.4mm的QFP，
是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
下面介绍下QFP封装：
这种技术的中文含义叫方型扁平式封装技术（Plastic
Quad
Flat
Pockage），该技术实现的CPU芯片引脚之间距离很小，
管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，
其引脚数一般都在100以上。该技术封装CPU时操作方便，
可靠性高；而且其封装外形尺寸较小，寄生参数减小，
适合高频应用；
该技术主要适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线。
******************************
******************************
******
FBGA
是塑料封装的
BGA
下面介绍下BGA封装：
20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/
O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，
对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，
BGA封装开始被应用于生产。BGA是英文Ball
Grid
Array
Package的缩写，即球栅阵列封装。
采用BGA技术封装的内存，
可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，
BGA与TSOP相比，具有更小的体积，
更好的散热性能和电性能。
BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，
采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，
体积只有TSOP封装的三分之一；另外，
与传统TSOP封装方式相比，
BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装内存
BGA封装的I/
O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，
BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，
但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；
虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，
从而可以改善它的电热性能；
厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，
信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，
可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBG
A技术，TinyBGA英文全称为Tiny
Ball
Grid
Array（小型球栅阵列封装），
属于是BGA封装技术的一个分支。
是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，
其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，
可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，
与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、
更好的散热性能和电性能。
TinyBGA封装内存
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有
TSOP封装的1/3。
TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，
而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。
这种方式有效地缩短了信号的传导距离，
信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，
因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、
抗噪性能，而且提高了电性能。
采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，
而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.
8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。
因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，
非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。

『捌』 BGA与FBGA有何区别

1、概念区别

BGA是父，FBGA是子；因为FBGA封装技术在建立在BGA基础之上发展而来的。

2、封装技术方式区别

BGA是焊球阵列封装；FBGA是细间距球栅阵列封装。

3、技术优势区别

BGA优势：体积小、散热快；而FBGA优势：封装速度快、存储量大。

(8)fbga培训哪个机构号扩展阅读：

BGA封装是目前FPGA和微处理器等各种高度先进和复杂的半导体器件采用的标准封装类型。

用于嵌入式设计的BGA封装技术在跟随芯片制造商的技术发展而不断进步，这类封装一般分成标准和微型BGA两种。

这两种类型封装都要应对数量越来越多的I/O挑战，这意味着信号迂回布线(Escape routing)越来越困难，即使对于经验丰富的PCB和嵌入式设计师来说也极具挑战性。