fbga培訓哪個機構號

『壹』 內存條上的「顆粒封裝」是什麼FBGA是什麼意思

哎呀~~~~摘抄的 自己看吧！ 哈

內存顆粒的封裝方式經歷了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的變革，可謂風風雨雨一路發展而來.前面老的封裝方式，就不說了，都成了歷史。

就簡單介紹一下CSP吧，CSP是我們的明日之星，大家都知道，封裝面積與晶元的面積比越接近1：1越完美，那麼CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經相當接近1：1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。這樣在相同體積下，內存條可以裝入更多的晶元，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍
內存編碼含義
Samsung

具體含義解釋：

例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0

主要含義：

第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。

第2位——晶元類型4，代表DRAM。

第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。

第11位——連線「-」。

第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。

知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。

註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。

Hynix(Hyundai)現代

現代內存的含義：

HY5DV641622AT-36

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是現代的產品

2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新

9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元

10、內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A

Infineon（億恆）

Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。

-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；

-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。

例如：

1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。

1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。

KINGMAX、kti

KINGMAX內存的說明

Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。

容量備註：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。

Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。

A2——內存內核版本號。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。

其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。

Winbond（華邦）

含義說明：

W XX XX XX XX

1 2 3 4 5

1、W代表內存顆粒是由Winbond生產

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM

3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

『貳』 怎麼知道自己筆記本內存條的顆粒封裝（FBGA、mBGA）和介面類型（200PIN、240PIN）呀

這個封裝類型沒有影響，你只要找DDR3代1333的內存就可以了。因為DDR3是介面類型，1333是頻率，如果你想和原來的三星條一起用的話注意內存兼容性，最好找一個牌子的。

『叄』 內存封裝模式CSP和FBGA有什麼區別哪個好

FBGA脫胎於BGA，這個技術有好些年了，fbga 是塑料封裝的bga bga=球柵陣列封裝技術。該技術的出現便成為CPU、主板南、北橋晶元等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。但BGA封裝佔用基板的面積比較大。雖然該技術的I/O引腳數增多，但引腳之間的距離遠大於QFP，從而提高了組裝成品率。而且該技術採用了可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能。另外該技術的組裝可用共面焊接，從而能大大提高封裝的可靠性；並且由該技術實現的封裝CPU信號傳輸延遲小，適應頻率可以提高很大。

BGA封裝具有以下特點：

I/O引腳數雖然增多，但引腳之間的距離遠大於QFP封裝方式，提高了成品率
雖然BGA的功耗增加，但由於採用的是可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善電熱性能
信號傳輸延遲小，適應頻率大大提高
組裝可用共面焊接，可靠性大大提高

CSP(Chip Scale Package)，是晶元級封裝的意思。CSP封裝是比較新的內存晶元封裝技術，其技術性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經相當接近1:1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。
CSP封裝內存晶元的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，晶元的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%-20%。在CSP的封裝方式中，內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由於焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存晶元在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻

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上這里查

『伍』 什麼是LQFP封裝、FBGA封裝

我這里有些關於晶元封裝技術的電子書， 有需要的話留個郵箱我傳給你。 LQFP也就是薄型QFP（Low rofile Quad Flat Package）指封裝本體厚度為1.4mm的QFP， 是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。 下面介紹下QFP封裝： 這種技術的中文含義叫方型扁平式封裝技術（Plastic Quad Flat Pockage），該技術實現的CPU晶元引腳之間距離很小， 管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式， 其引腳數一般都在100以上。該技術封裝CPU時操作方便， 可靠性高；而且其封裝外形尺寸較小，寄生參數減小， 適合高頻應用； 該技術主要適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線。 ****************************** ****************************** ****** FBGA 是塑料封裝的 BGA 下面介紹下BGA封裝： 20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/ O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大， 對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要， BGA封裝開始被應用於生產。BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。 採用BGA技術封裝的內存， 可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍， BGA與TSOP相比，具有更小的體積， 更好的散熱性能和電性能。 BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升， 採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下， 體積只有TSOP封裝的三分之一；另外， 與傳統TSOP封裝方式相比， BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。 BGA封裝內存 BGA封裝的I/ O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面， BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了， 但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率； 雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接， 從而可以改善它的電熱性能； 厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小， 信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接， 可靠性高。 說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBG A技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝）， 屬於是BGA封裝技術的一個分支。 是Kingmax公司於1998年8月開發成功的， 其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14， 可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍， 與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、 更好的散熱性能和電性能。 TinyBGA封裝內存 採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有 TSOP封裝的1/3。 TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的， 而TinyBGA則是由晶元中心方向引出。 這種方式有效地縮短了信號的傳導距離， 信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4， 因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、 抗噪性能，而且提高了電性能。 採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻， 而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。 TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0. 8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。 因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率， 非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。

『陸』 FBGA、TSOP與BGA三者有何區別

FBGA（通常稱作CSP)是一種在底部有焊球的面陣引腳結構，使封裝所需的安裝面積接近於晶元尺寸。這種高密度、小巧、扁薄的封裝技術非常適宜用於設計小巧的手持式消費類電子裝置，如個人信息工具、手機、攝錄一體機、以及數碼相機。

BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。

TinyBGA封裝的晶元與普通TSOP封裝的晶元相比，有以下幾個特點：
一、單位容量內的存儲空間大大增加，相同大小的兩片內存顆粒，TinyBGA封裝方式的容量能比TSOP高一倍，成本也不會有明顯上升，而且當內存顆粒的製程小於0.25微米時，TinyBGA封裝的成本比TSOP還要低。
二、具有較高的電氣性能。TinyBGA封裝的晶元通過底部的錫球與PCB板相連，有效地縮短了信號的傳輸距離，信號傳輸線的長度僅是傳統TSOP技術的四分之一，信號的衰減也隨之下降，能夠大幅度提升晶元的抗干擾性能。
三、具有更好的散熱能力。TinyBGA封裝的內存，不但體積比相同容量的TSOP封裝晶元小，同時也更薄（封裝高度小於0.8毫米），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36毫米。相比之下，TinyBGA方式封裝的內存擁有更高的熱傳導效率，TinyBGA封裝的熱抗阻比TSOP低75％[ 1 ]。

一般來說，FBGA封裝方式會比TSOP來的好， TSOP封裝的針腳在外，而FBGA針腳在內，比較不容易受到外在環境的干擾；此外，FBGA封裝的顆粒也比較小，在512MB或1G以上的記憶體模組大都採用FBGA封裝。

採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。

『柒』 什麼是LQFP封裝、FBGA封裝

我這里有些關於晶元封裝技術的電子書，
有需要的話留個郵箱我傳給你。
LQFP也就是薄型QFP（Low
rofile
Quad
Flat
Package）指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，
是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。
下面介紹下QFP封裝：
這種技術的中文含義叫方型扁平式封裝技術（Plastic
Quad
Flat
Pockage），該技術實現的CPU晶元引腳之間距離很小，
管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式，
其引腳數一般都在100以上。該技術封裝CPU時操作方便，
可靠性高；而且其封裝外形尺寸較小，寄生參數減小，
適合高頻應用；
該技術主要適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線。
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FBGA
是塑料封裝的
BGA
下面介紹下BGA封裝：
20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/
O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，
對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，
BGA封裝開始被應用於生產。BGA是英文Ball
Grid
Array
Package的縮寫，即球柵陣列封裝。
採用BGA技術封裝的內存，
可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，
BGA與TSOP相比，具有更小的體積，
更好的散熱性能和電性能。
BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，
採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，
體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，
與傳統TSOP封裝方式相比，
BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝內存
BGA封裝的I/
O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，
BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，
但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；
雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，
從而可以改善它的電熱性能；
厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，
信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，
可靠性高。
說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBG
A技術，TinyBGA英文全稱為Tiny
Ball
Grid
Array（小型球柵陣列封裝），
屬於是BGA封裝技術的一個分支。
是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，
其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，
可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，
與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、
更好的散熱性能和電性能。
TinyBGA封裝內存
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有
TSOP封裝的1/3。
TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，
而TinyBGA則是由晶元中心方向引出。
這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，
信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，
因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、
抗噪性能，而且提高了電性能。
採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，
而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。
TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.
8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。
因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，
非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。

『捌』 BGA與FBGA有何區別

1、概念區別

BGA是父，FBGA是子；因為FBGA封裝技術在建立在BGA基礎之上發展而來的。

2、封裝技術方式區別

BGA是焊球陣列封裝；FBGA是細間距球柵陣列封裝。

3、技術優勢區別

BGA優勢：體積小、散熱快；而FBGA優勢：封裝速度快、存儲量大。

(8)fbga培訓哪個機構號擴展閱讀：

BGA封裝是目前FPGA和微處理器等各種高度先進和復雜的半導體器件採用的標准封裝類型。

用於嵌入式設計的BGA封裝技術在跟隨晶元製造商的技術發展而不斷進步，這類封裝一般分成標准和微型BGA兩種。

這兩種類型封裝都要應對數量越來越多的I/O挑戰，這意味著信號迂迴布線(Escape routing)越來越困難，即使對於經驗豐富的PCB和嵌入式設計師來說也極具挑戰性。